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型号 IRFBE30SPBF
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
IRFBE30SPBF PDF
代理商 IRFBE30SPBF
产品目录绘图 IR(F,L,Z) Series Side 1
IR(F,L,Z) Series Side 2
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 管件
产品目录页面 1527 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFBE30SPBF
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